半导体工艺进入7nm节点后，EUV光刻机是必不可少的关键设备。目前只有ASML可以制造，单台售价10亿元。年底还会迎来下一代的EUV光刻机，价格也会随之大涨。

        光刻机的分辨率越高，越有利于制造更小的晶体管，而分辨率也与光刻机物镜的NA数值孔径有直接关系。目前的EUV光刻机是NA=0.33技术，下一代EUV光刻机升级到NA=0.55。

        据ASML公司高层近日透露的消息，NA=0.55的EUV光刻机将于今年年底出货首台商用样机，2025年正式量产。

        他没有公布具体哪家公司会首发NA=0.55光刻机，但之前英特尔公司表示他们会率先使用下代EUV光刻机，已经巨资提前下单。

        按照2025年的出货时间点，台积电、英特尔、三星的2nm级工艺都赶不上。 NA=0.55的光刻机最早要到1.4nm工艺才能面世。未来1nm制程的生产将是必不可少的设备。

        随着技术的提高，还有价格。由于复杂和精密，NA=0.55的EUV光刻机价格大幅上涨，是现在的2-3倍。

        这不排除未来正式商用时价格会进一步上涨。毕竟要上市还需要几年时间。

        文章出处：快科技