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我国存储芯片上又有大突破 全球领先:有望实现75倍的能效提升

来源:458网址导航10-12

        我国在10月12日取得了存储芯片方面的重大突破,这一成就在全球范围内具有领先地位。

        清华大学集成电路学院的吴华强教授和高滨副教授团队采用存算一体计算范式,研制出全球首颗全系统集成的、支持高效片上学习的忆阻器存算一体芯片。这种芯片可以在硬件端直接完成机器学习,实现高效的学习过程。

75倍能效提升!我国存储重大突破 最强存算一体芯片研制成功:美韩厂商侧目

        在采用忆阻器存储计算一体芯片的技术领域取得了重要突破,有望推动人工智能、自动驾驶以及可穿戴设备等领域的进一步发展。相关研究成果已在线发表在最新一期的《科学》杂志上。

        记忆电阻器(Memristor)是继电阻、电容和电感之后的第四种基本电路元件。不同之处在于,它可以像记忆体一样在断电后仍然可以存储通过的电荷,因此被看作是一种新型纳米电子突触器件。

        存算一体架构通过将数据处理和存储集成在同一个芯片中,彻底消除了数据在逻辑处理器和存储芯片之间的搬迁问题,从而减少了能量消耗和延迟。这种架构在边缘计算和云计算应用中具有广泛的应用前景。

        在相同的任务下,该芯片的片上学习能耗仅为先进工艺下专用集成电路(ASIC)系统的1/35,同时其有望实现75倍的能效提升。

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